光刻工艺的核心：

光刻机的原理是利用高精度的光学系统，将设计好的芯片电路图案通过紫外线或极紫外光（EUV）投影到涂有光刻胶的硅片上，再通过化学处理，将图案“刻”到硅片表面，形成芯片的线路结构。这个过程需要极高的精度，误差必须控制在纳米级。

关键技术环节：

光源系统：光刻机的光源是核心中的核心，最早可以使用深紫外（DUV）光源，波长为193纳米，这已经是第一代光刻机的极限。

投影系统：通过高精度的镜头系统，将光线聚焦并将电路图案投影到硅片上。镜头的设计要求极其复杂，光学镜片需要达到亚纳米级的抛光精度。

掩模版：掩模版是设计好芯片电路图案的“模具”，它决定了刻蚀出来的电路的具体形状和尺寸。

步进扫描系统：光刻机的工作台需要以极高的精度移动，误差不能超过几个纳米，这需要强大的机械和控制系统。

第一代光刻机的技术目标：

许志远决定研发的第一代光刻机目标是90纳米制程工艺，这在当时的国际水平上已经算是领先一代的技术。它可以刻录90纳米及以上规格的芯片集成电路，足以满足当下龙国在通信、军事和工业控制领域的需求。虽然距离国际顶尖的5纳米、7纳米工艺还有一定差距，但对于龙国来说，这已经是一个巨大的突破。

制定研发阶段方案

许志远仔细翻阅系统资料，深知光刻机的研发绝非一蹴而就。系统给出的研发思路清晰而严谨，他需要将这些内容逐步分解，制定出一套切实可行的方案。

他手握笔记本，在纸上快速写下了几个大字：光刻机研发阶段分解，随后开始细化每一个步骤。